Драйвер на двух транзисторах для управления затвором полевого транзистора
Список форумов » Аналоговая и силовая электроника. Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot]. Предыдущее посещение: менее минуты назад Текущее время: 14 июн , Страница 1 из 1 [ Сообщений: 20 ] Пред.
Улучшение эффективности силовых импульсных преобразователей связано с задачей уменьшения потерь энергии в ключевых транзисторах. В большей степени именно эти потери оказывают влияние на коэффициент полезного действия силового преобразователя, надежность устройства и возможность его работы при высоких частотах. Характер нагрузки, с которой работает силовое устройство, в свою очередь, значительно влияет на переходные процессы при переключении транзисторов и, соответственно, на коммутационные потери в них, которые возрастают при нагрузке реактивного характера. Существует ряд способов для ограничения потерь в мощных силовых транзисторах, работающих в ключевом режиме: использование защитных RC-цепей их неудобство состоит в том, что они являются частотно-зависимыми ; работа преобразователя в режиме мягкой коммутации здесь недостатком является то, что такой рабочий режим может быть обеспечен только в определенных видах преобразовательных схем ; использование затвора с точно подобранным значением сопротивления при увеличении его значения улучшается устойчивость переходного процесса, но увеличивается и время переключения ; использование радиаторов с большей площадью недостатком является то, что увеличиваются масса и габариты устройства [1, 2]. Современные тенденции в этой области связаны с разработкой методов активного управления транзисторами, работающими в ключевом режиме, и использованием интеллектуальных драйверных схем [3—6]. На рис.
- Эта схема применена для управления мощной нагрузкой с помощью беспроводного модуля JDY Обновление
- Главная iXBT.
- Всем хороши мощные полевые транзисторы MOSFET, кроме одного маленького нюанса, — подключить их напрямую к выводам микроконтроллера зачастую оказывается невозможно. Это, во-первых, связано с тем, что допустимые токи для микроконтроллерных выводов редко превышают 20 мА, а для очень быстрых переключений MOSFET-ов с хорошими фронтами , когда нужно очень быстро заряжать или разряжать затвор который всегда обладает некоторой ёмкостью , нужны токи на порядок больше.
- By Dzusan , March 6, in Питание.
- Список форумов » Обучалка » Теория. Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot] , Irvrr и гости:
- Способы доставки. Способы оплаты.
- Личный Кабинет Корзина покупок. Мой город: Онтарио.
- Поиск Написать публикацию. Время на прочтение 7 мин.
- Способы доставки.
| 98 | Список форумов » Силовая электроника » Питание. Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: | |
| 121 | Для получения подробной технической и эксплуатационной документации по изделиям категории ВП и ОСМ перейдите в раздел меню «Поддержка» пункт 4. | |
| 9 | Понятно, что будут рассматриваться лишь n-канальные MOSFET транзисторы, хотя все процессы одинаково справедливы и для их p-канальных сородичей. | |
| 361 | Вход в кабинет Вход в кабинет. | |
| 281 | Эту паразитную емкость можно легко обнаружить,достаточно к стоку подключить лампу накаливания и к ней подать плюс питания,а к истоку подать минус питания. |
Доступна отладочная плата Evaluation Board for the LM Получить более подробную информацию по продукции Texas Instruments и заказать образцы Вы можете, обратившись: E-mail: info promelec. Последние новости - одной лентой:. Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности.
